SCF tolerance：指定SCF密度收敛的阈值。当DIIS密度误差矩阵的最大（在幅度上）分量小于该值时，SCF过程被认为收敛到最小值。 这将覆盖“Electronic”选项卡上指定的SCF公差设置，将设置更改为“Customized”。 Max. SCF cycles：指定能量计算允许的最大SCF迭代次数。如果SCF在指定的迭代次数后没有收敛，则计算将终止。 Multipolar expansion：指定电荷密度多极表示中使用的最大角动量函数。可用选项包括： Monopole Dipole Quadrupole Octupole Hexadecapole 对于d电子占一半的元素，必须选择“十六极”进行多极展开。 Charge：指定用于混合当前迭代和先前迭代之间的电荷密度的值f。允许值为0.0<f≤1.0。例如，0.2的值将使用电流密度的20%和来自先前迭代的80%来构建电荷密度。 Spin：指定在当前迭代和先前迭代之间混合旋转密度时使用的值。允许的值=0.0到1.0。 Use DIIS：选中时，表示DIIS（迭代子空间中的直接反演Direct Inversion in the Iterative Subspace）将用于加速SCF收敛。 DIIS size：指定DIIS过程的子空间的最大数值。如果SCF不收敛于默认的历史数量，则增加该值有时可以显著提高SCF收敛性。不建议使用少于4个历史记录。允许值=1到10。 Use preconditioner：当检查时，表明电荷密度预处理器已打开，这会抑制连续SCF循环之间的电荷密度振荡。这可以加快收敛速度，特别是对于大型系统或表面或界面计算。 q0：指定用于阻尼电荷密度振荡的参考波矢量，单位为Bohr倒数。允许值=0.5到20。只有选中“Use preconditioner”复选框时，q0控件才会启用。 Use smearing：选中时，表示将对轨道占用应用热涂抹，以加快收敛速度。 Smearing：以Hartree为单位指定涂抹参数的值。仅当选中“Use smearing”复选框时，才会启用“Smearing”控件。在不引入热拖尾的情况下提高粗k点集收敛性的一种潜在方法是关闭具有defeat_ttrahedra关键字的四面体积分算法。 Apply dipole slab correction：选中时，将外部电势添加到板的真空区域。由于平板中的极性吸附质（或仅平板一侧的吸附质），该电势抵消了电池的非零偶极矩。这种校正对功函数计算特别有帮助。 偶极板校正仅适用于厚度至少为8Å的真空板。对于真空度不足的计算，将忽略偶极校正。偶极板校正需要P1对称性。如果界面的对称性不是P1，系统将提示您将对称性转换为P1，然后才能继续。DMol3中的偶极板校正要求真空的中心与晶胞的中心重合。Materials Studio将在计算之前相应地移动几何图形，以强制执行正确的真空中心。 |
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