轨道占据数方法

为了使计算结果接近0K，这个展宽不能设置太大

展宽值最好自己进行去调试

判断标准以总能量最小时的展宽值为标准

展宽越小，耗费系统资源就越大

展宽的设置会引入

会引入额外的电子熵

这个也是判断选择展宽需要的标准

四面体法和Blochl 校正的四面体法

这个方法适合计算体相材料的总能和态密度，这个方法没办法做分数占据

所以计算金属的原子受力和压力张量会有5%到10%的偏差

只有对于半导体和绝缘体，力才是正确的

对如果是于DOS的计算和非常精确的总能量计算，可以考虑

mp法

可以说是对高斯展宽的一般化，0阶mp分布就对应于高斯展宽

对于金属体系的力和声子频率的计算是十分适合的

但是展宽值的选取需要格外小心

展宽太大算出来总能可能不准确，小的展宽需要比较密集的k点取样

因此展宽值要在合理范围内尽可能的保持较大

其标准为保持 输出文件中的自由能和总能量之间的差异小于1meV/atom

对于比较大的超胞MP方法也是很好的选择

不适用于半导体和绝缘体

对于金属（没有带隙的体系），展宽设置为0.2ev

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mv方法

为了解决mp方法的负占据和大于1占据的问题构造出来的方法，也叫做cold-smearing

计算声子的时候还是尽量使用mp展宽

fd方法

这个按照道理来说是最接近有限温情形下的电子分布的，但是使用这个也有一些问题，

比如说想要得到比较收敛的结果需要比较大的展宽（0.1~0.5eV）

这时候Fermi-Dirac分布的尾巴就会比较长

就需要算入很多的态，增加计算量，所以也不是说这个就比别的好

有时候可能还不如用一个比较假的smearing比如高斯

gauss方法

绝缘体或半导体使用gauss，展宽选择0.05eV

如果涉及分子计算，使用gauss，展宽选择0.01eV

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